近年来，使用MoS ₂纳米片作为气敏材料已被广泛报道。已知硫空位 ( _VS ) 发挥着重要作用，但详细机制仍存在争议。在这项工作中，我们试图根据实验和模拟结果研究V _S与气敏响应之间的关系。通过实验，我们开发了一种基于液体剥离的 MoS ₂纳米片的 NO ₂气体传感器，在 100 °C 下对 5 ppm NO ₂气体的响应为 330% 。优异的性能是由于在室温下产生了硫空位（未配位的 Mo 原子）。从密度泛函理论 (DFT) 计算，占主导地位的 MoS₂ -NO ₂吸附复合物形成，NO ₂气体分子在硫空位诱导的MoS ₂上获得更高的吸附能（32.89 meV/Mo）。V _S充当单电离受体能级（价带上方 0.54 eV）。最后，考虑到 V _S作为具有 (0/–1) 带电状态的单电子受体，提出了 p 型 MoS ₂纳米片的详细温度相关传感机制。该水平负责在低温下增强 NO ₂吸附，并且观察到的行为与 DFT 研究的结果非常吻合。



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