当前位置：
X-MOL 学术
›
ACS Appl. Mater. Interfaces
›
论文详情
Our official English website, www.x-mol.net, welcomes your
feedback! (Note: you will need to create a separate account there.)
用于存储器件应用的外延生长的 MoS2/石墨烯异质结构中孤立单层二硫化钼的电荷存储
ACS Applied Materials & Interfaces ( IF 8.3 ) Pub Date : 2021-09-14 , DOI: 10.1021/acsami.1c12064 Po-Cheng Tsai, Chun-Wei Huang, Shoou-Jinn Chang, Shu-Wei Chang, Shih-Yen Lin
ACS Applied Materials & Interfaces ( IF 8.3 ) Pub Date : 2021-09-14 , DOI: 10.1021/acsami.1c12064 Po-Cheng Tsai, Chun-Wei Huang, Shoou-Jinn Chang, Shu-Wei Chang, Shih-Yen Lin
|
我们通过硫化用热蒸发沉积的三氧化钼膜 (MoO 3 )在单层石墨烯上外延生长双层二硫化钼 (MoS 2 ) 。MoS 2生长前后石墨烯的霍尔迁移率相似，表明下面的二维层在沉积和硫化过程中几乎没有受到影响。通过原子层蚀刻，MoS 2的最顶层与源电极和漏电极隔离。具有隔离单层 MoS 2的顶栅晶体管随着栅极电压的变化，石墨烯通道顶部的 漏电流表现出滞后现象。这可能是由于在没有外部电场的情况下通过范德华力结合的二维层的弱隧道效应。该器件的长保留时间在隔离的 MoS 2层周围具有强大的电荷存储。基于这种二维材料的薄异质结构的单晶体管零电容存储器模块有利于在厚度减小的动态随机存取存储器中的应用。
"点击查看英文标题和摘要"
更新日期：2021-09-29
"点击查看英文标题和摘要"
京公网安备 11010802027423号