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在用于光敏应用的二氧化硅微柱阵列上生长的 ZnO 纳米线/CdS 纳米棒结构
Electronic Materials Letters ( IF 2.1 ) Pub Date : 2021-08-25 , DOI: 10.1007/s13391-021-00312-w Jing Liu 1 , Yuanze Xu 1, 2 , Xiaoxiao Liang 1, 2 , Mingming Yan 1, 2 , Bo Wang 1 , Tianchong Zhang 1 , Zhen Hong 1, 2 , Futing Yi 1
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更新日期:2021-08-26
Electronic Materials Letters ( IF 2.1 ) Pub Date : 2021-08-25 , DOI: 10.1007/s13391-021-00312-w Jing Liu 1 , Yuanze Xu 1, 2 , Xiaoxiao Liang 1, 2 , Mingming Yan 1, 2 , Bo Wang 1 , Tianchong Zhang 1 , Zhen Hong 1, 2 , Futing Yi 1
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以二氧化硅微柱阵列为基材,采用二次水热反应法成功制备了一种氧化锌(ZnO)纳米线/硫化镉(CdS)纳米柱异质结结构。从 SEM 和 TEM 图像来看,这种 ZnO 纳米线/CdS 纳米棒/二氧化硅微柱结构是树状形态,从 X 射线衍射曲线来看,ZnO 纳米线和 CdS 纳米棒在二氧化硅表面上都具有良好的结晶度。CdS 纳米棒/二氧化硅微柱结构对波长为 200 至 800 nm 的入射光具有低反射率。ZnO纳米线生长后,树状结构的反射率远低于没有ZnO纳米线的反射率,尤其是波长小于350 nm的反射率。测试了具有和不具有 ZnO 纳米线的基于 CdS 纳米棒/二氧化硅微柱的光敏电阻的电阻响应。结果表明,ZnO纳米线的覆盖可以提高CdS纳米棒/二氧化硅微柱光敏电阻的响应。ZnO 纳米线/CdS 纳米棒/二氧化硅微柱光敏电阻对 5 mW/cm 的 450 nm 波长光的最佳光敏响应2照度可达到 23.3,而 CdS 纳米棒/二氧化硅微柱光敏电阻的照度为 18.8。
图形摘要
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