当前位置: X-MOL 学术Nano Lett. › 论文详情
Our official English website, www.x-mol.net, welcomes your feedback! (Note: you will need to create a separate account there.)
通过单层 1T-NbSe2 中的结构畸变调节电荷转移间隙
Nano Letters ( IF 9.6 ) Pub Date : 2021-08-05 , DOI: 10.1021/acs.nanolett.1c02348
Zhen-Yu Liu 1 , Shuang Qiao 2 , Bing Huang 2 , Qiao-Yin Tang 1 , Zi-Heng Ling 1 , Wen-Hao Zhang 1 , Hui-Nan Xia 1 , Xin Liao 1 , Hu Shi 1 , Wen-Hao Mao 1 , Gui-Lin Zhu 1 , Jing-Tao Lü 1 , Ying-Shuang Fu 1
Affiliation  

预计1T-TaS 2 中的莫特态将承载量子自旋液体 (QSL)。然而,由于层间耦合的复杂性,其绝缘机制存在争议。在这里,我们使用光谱成像扫描隧道显微镜和第一性原理计算研究单层 1T-NbSe 2 中的电荷转移状态,这是一种免于层间耦合的TaS 2的电子类似物。单层 NbSe 2令人惊讶地显示出两种具有不同电荷转移间隙大小的大卫之星 (SD) 图案,它们可以通过温度变化相互转换。此外,双层 1T-NbSe 2显示了通过层间耦合的莫特坍塌。我们的计算表明,两种类型的 SD 具有明显的结构扭曲,改变了中央 Nb 轨道的有效库仑能量。我们的计算表明,电荷转移间隙与确定 QSL 机制的参数相同,可随应变进行调节。这一发现为操纵相关系统中的电荷转移状态提供了一种通用策略,可以将其调整为潜在的 QSL 机制。



"点击查看英文标题和摘要"

更新日期:2021-08-25
down
wechat
bug