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不含 ITO 的掺银 DMD 结构:用于电致变色应用的 HiPIMS 透明导电纳米复合涂层
Solar Energy Materials and Solar Cells ( IF 6.3 ) Pub Date : 2021-07-21 , DOI: 10.1016/j.solmat.2021.111268
Hamed Najafi-Ashtiani , Fengjuan Jing , Dougal G. McCulloch , Behnam Akhavan

具有光学透明性和导电性的介电/金属/介电 (DMD) 材料的纳米复合材料对一系列现代光电应用(包括电致变色和能量存储设备)具有重要意义。在这里,我们首次报告了仅由三层组成的不含 ITO 的 DMD 纳米复合结构的创建:(Ag 掺杂的 WO 3 )/(Ag)/(WO 3 )。我们采用高功率脉冲磁控溅射 (HiPIMS) 作为一种新技术来沉积内部 WO 3层和外部 Ag/WO 3纳米复合材料。HiPIMS 过程中银离子化的高速率和银离子在负偏置 DMD 结构上的能量到达使其能够渗透到外部氧化钨层中,在一步过程中形成纳米复合结构。我们提供的证据表明,这种独特的结构将透明导电 DMD 材料的性能推向了其固有的极限。为了优化表面等离子体共振效应,从而优化结构的电致变色性能,我们通过在同一溅射室中不同温度下的真空后退火来改变银纳米团簇的尺寸。优化的Ag-WO 3 /Ag/WO 3结构是透明的(在 300-700 nm 波长范围内的平均透射率 = 75.89 ± 0.05%)和导电(薄层电阻 = 23.6 ± 0.8 Ω/□)。此外,它显示出良好的电致变色特性,具有高着色效率(32.1 cm 2  C -1)、开关速度快,以及至少 2000 次循环的出色长期稳定性。阐明了由表面等离子体共振支撑的这种双功能结构的电致变色性能的改善机制,如由银纳米团簇的尺寸和平均距离调节的。使用 HiPIMS 在无 ITO 基板上制造透明导电纳米复合涂层的多功能新方法具有制造下一代光电材料(如电致变色器件)的巨大潜力。





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更新日期:2021-07-21
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