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Mg2Si在高压高温下的相关系和Mg9Si5的热电性能
Inorganic Chemistry ( IF 4.3 ) Pub Date : 2021-07-19 , DOI: 10.1021/acs.inorgchem.1c01386 Motoharu Imai 1 , Soshi Ibuka 1 , Yukihiro Isoda 2
Inorganic Chemistry ( IF 4.3 ) Pub Date : 2021-07-19 , DOI: 10.1021/acs.inorgchem.1c01386 Motoharu Imai 1 , Soshi Ibuka 1 , Yukihiro Isoda 2
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硅化镁（Mg 2 Si）是一种很有前途的环保热电材料，近年来得到了广泛的研究。然而，其在高压和高温下的相行为仍不清楚。为此，在本研究中，在0 至 11.3 GPa 的高压和 296 至 1524 K 的高温下进行原位X 射线衍射分析，然后进行淬火。在高于 3 GPa 的压力和高于 970 K 的温度下，抗萤石相 Mg 2 Si 分解为 Mg 9 Si 5和 Mg。抗萤石相 Mg 2在高于 10.5 GPa 的压力和室温下，Si 经历了结构相变以产生高压室温 (HPRT) 相。当在～11 GPa 下加热时，该 HPRT 相也分解为 Mg 9 Si 5和 Mg。当 5Mg 2 Si 分解为 Mg 9 Si 5和 Mg 时，体积减少约 6%。在高压和高温下合成的Mg 9 Si 5在环境条件下是可淬火的。Mg 9 Si 5在 10 到 390 K 的温度范围内的热电性能测量表明它是一种 p 型半导体，具有无量纲的热电品质因数 ( ZT) 3.4 × 10 –4在 283 K。
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更新日期：2021-08-03
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