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CuO-Gd 2 O 3双相纳米复合材料光电探测器性能灵敏度的提高
Journal of Alloys and Compounds ( IF 5.8 ) Pub Date : 2021-07-17 , DOI: 10.1016/j.jallcom.2021.161196
M. Justin Paul 1 , R. Suresh 1 , K. Thirumal Valavan 1 , R. Marnadu 1 , M. Vidhya 2 , Nafis Ahmad 3 , A.M. Alshehri 3 , Sreedevi Gedi 4
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在这里,我们报告了通过具有成本效益的低温共沉淀工艺开发钆基氧化铜纳米复合材料。X 射线衍射研究证实了双相多晶立方和单斜结构,主要取向沿 (2 2 2) 和 (0 0 2) 方向。FT-IR 中位于~512 cm -1处的强而尖锐的峰被指定为金属氧化物 (Cu-O/Gd-O) 网络终端拉伸和声子带。吸收研究表明,纯铜 (Cu) 和钆 (Gd) 制备的样品具有很强的吸收峰,但混合 CuO-Gd2O 3 的吸收很差纳米复合材料。发现 Gd 和金属铜的最大和最低能隙值分别为 4.03 eV 和 2.44 eV。从 FESEM 分析中观察到白色海绵、纳米棒、纳米针和纳米米形形态。X 射线光电子能谱 (XPS) 勘测光谱揭示了铜、钆和氧等基本元素。Gd4d 的峰值拟合在 143.6 和 155.8 eV 结合能处显示出两个主要峰值,分别对应于 4d 5/2和 4d 3/2之间 12.2 eV 的自旋轨道双峰分裂。从 IV 研究中,我们观察到 CuO-Gd 2 O 3 的存在p-Si/Al 界面处的纳米复合材料提高了 MIS 二极管的性能。所开发的光电探测器优异的光电特性使其适用于未来的纳米电子学。





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更新日期:2021-07-23
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