摘要 迄今为止，用于分析太阳能电池两二极管参数不均匀性的基于暗锁相热成像（DLIT）的“局部IV”方法主要应用于多晶硅电池。在这一贡献中，它被应用于三款异质结型 (HJT) 高效单晶电池，其中一款表现出非常好的电池参数，另外两款表现出略微降低的电池参数。结果表明，性能较低的电池的退化主要是由于额外的局部 J02 型电流贡献，部分源于表面损伤，主要是降低填充因子。可以估计，可以通过 DLIT 成像和量化的局部不均匀暗电流贡献，使最佳电池的效率仅降低 0.1%，但退化程度更强的电池的效率降低了 0.3% 和 0。分别为 6%（绝对值）。在降低的光照强度下，细胞之间的差异甚至更高。讨论了用于研究高效电池的太阳能电池“局部 IV”评估的可能性和局限性。



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