来自四（乙基甲基氨基）铪和臭氧的氧化铪薄膜的 ALD,Journal of The Electrochemical Society

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来自四（乙基甲基氨基）铪和臭氧的氧化铪薄膜的 ALD
Journal of The Electrochemical Society ( IF 3.1 ) Pub Date : 2005-01-01 , DOI: 10.1149/1.1859631
Xinye Liu ₁ , Sasangan Ramanathan ₁ , Ana Longdergan ₁ , Anuranjan Srivastava ₁ , Eddie Lee ₁ , Thomas E. Seidel ₁ , Jeffrey T. Barton ₂ , Dawen Pang ₂ , Roy G. Gordon ₂

Affiliation

氧化铪 (HfO 2 ) 薄膜由四(乙基甲基氨基)铪 (TEMAH) 和臭氧 (O 3 ) 通过原子层沉积 (ALD) 沉积在 200 毫米硅晶片上。O 3 半反应显示出良好的饱和行为。然而，观察到 TEMAH 半反应逐渐表面饱和。对于纵横比约为 40:1 的沟槽，在晶片内实现了小于 1% 的非均匀性和约 100% 的阶梯覆盖率。随着循环次数的增加，薄膜厚度呈线性增加。从 160-420°C 的基座温度，在 320°C 观察到最低的沉积速率（A/周期）和最高的折射率。对于在 320°C 下沉积的薄膜，通过卢瑟福背向散射确定的铪与氧的原子比为 1:2.04。随着基座温度从 200°C 增加到 320°C，由二次离子质谱法 (SIMS) 确定的碳和氢含量降低。在用H 2 O 制成的对照膜中获得比用O 3 制成的膜更低的碳和氢含量。讨论了TEMAH + O 3 ALD 工艺的反应机理。结果表明基于O 3 的ALD HfO 2 沉积对于微电子应用是有前景的。

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更新日期：2005-01-01

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