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应用于 193 nm 光刻胶的 HBr 和 Ar 固化等离子体处理所涉及的机制
Journal of Applied Physics ( IF 2.7 ) Pub Date : 2009-05-01 , DOI: 10.1063/1.3116504
E. Pargon 1 , K. Menguelti 1 , M. Martin 1 , A. Bazin 1 , O. Chaix-Pluchery 2 , C. Sourd 3 , S. Derrough 3 , T. Lill 4 , O. Joubert 1
Journal of Applied Physics ( IF 2.7 ) Pub Date : 2009-05-01 , DOI: 10.1063/1.3116504
E. Pargon 1 , K. Menguelti 1 , M. Martin 1 , A. Bazin 1 , O. Chaix-Pluchery 2 , C. Sourd 3 , S. Derrough 3 , T. Lill 4 , O. Joubert 1
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在本文中，我们使用各种表征技术（X 射线光电子能谱、傅里叶变换红外光谱、拉曼分析和椭圆光度法）对暴露于所谓的 HBr 和 Ar 等离子体固化处理后的 193 nm 光刻胶转变进行了详细研究。通过在光刻胶膜上使用具有不同截止波长的窗口，等离子体真空紫外 (VUV) 光对抗蚀剂改性的作用被清晰地勾勒出来，并与等离子体中的自由基和离子的作用区分开来。分析表明，两种等离子体固化处理都会引起抗蚀剂膜的严重表面和整体化学改性。低能离子轰击和真空紫外等离子体光的协同效应导致表面石墨化或交联（大约 10 nm），而等离子体 VUV 光（110-210 nm）被清楚地识别为负责从抗蚀剂本体中去除酯和内酯基团。随着抗蚀剂改性深度...
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更新日期：2009-05-01
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