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布局相关的效应感知分析模拟布局
IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems ( IF 2.7 ) Pub Date : 2016-08-01 , DOI: 10.1109/tcad.2015.2501293
Hung-Chih Ou , Kai-Han Tseng , Jhao-Yan Liu , I-Peng Wu , Yao-Wen Chang
IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems ( IF 2.7 ) Pub Date : 2016-08-01 , DOI: 10.1109/tcad.2015.2501293
Hung-Chih Ou , Kai-Han Tseng , Jhao-Yan Liu , I-Peng Wu , Yao-Wen Chang
布局相关效应 (LDE) 已成为现代模拟和混合信号电路设计中的一个关键问题。LDE 的三个主要来源，即井距、氧化物扩散长度和氧化物到氧化物间距，显着影响先进技术节点中器件的阈值电压和迁移率。在本文中，我们提出了在模拟布局期间考虑 LDE 的三个主要来源的第一项工作。我们首先将三个 LDE 模型转换为非线性分析放置模型。然后提出了一种 LDE 感知分析模拟布局算法，以减轻 LDE 的影响，同时提高电路性能。实验结果表明，我们的布局算法可以有效地减少 LDE 引起的变化并提高电路性能。
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更新日期：2016-08-01
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