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原子层沉积二氧化钛薄膜:综述
Semiconductor Science and Technology ( IF 1.9 ) Pub Date : 2017-08-23 , DOI: 10.1088/1361-6641/aa78ce
Janne-Petteri Niemelä , Giovanni Marin , Maarit Karppinen
Semiconductor Science and Technology ( IF 1.9 ) Pub Date : 2017-08-23 , DOI: 10.1088/1361-6641/aa78ce
Janne-Petteri Niemelä , Giovanni Marin , Maarit Karppinen
在其丰富的相图中,二氧化钛是一种真正的多功能材料,除了众所周知的催化性能外,还具有从介电特性到透明导电特性的多种特性。与此同时,微电子器件的缩小规模导致了对各种前沿薄膜材料的原子层沉积 (ALD) 研究的爆炸性增长,其中 TiO2 是最受欢迎的材料之一。在本专题综述中,我们从为 TiO2 开发的 50 多种不同沉积路线的化学性质以及由此产生的薄膜结构特征,总结了二氧化钛 ALD 研究的进展。然后我们从电介质的角度继续研究掺杂的 ALD-TiO2 薄膜,透明导体和光催化应用。此外,为了涵盖研究领域的最新趋势,由 ALD 实现的各种构造的 TiO2 纳米结构和由新兴的 ALD/MLD(组合原子/分子层沉积)技术生长的 Ti 基杂化无机-有机薄膜都是讨论。内容
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更新日期:2017-08-23

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