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会聚束电子衍射
Microscopy ( IF 1.5 ) Pub Date : 2011-08-01 , DOI: 10.1093/jmicro/dfr038 M. Tanaka , K. Tsuda
Microscopy ( IF 1.5 ) Pub Date : 2011-08-01 , DOI: 10.1093/jmicro/dfr038 M. Tanaka , K. Tsuda
本文回顾了会聚束电子衍射 (CBED) 技术。描述了普通晶体的点群和空间群测定方法,并举例说明了 Sr₃Ru2O₇ 的测定方法。解释了一维非公约晶体和准晶体的对称性确定。还描述了对晶格缺陷和晶格应变分析必不可少的大角度 CBED 技术。使用多层 Si 1-xGe(x)/Si 材料的示例,提供了晶格应变分析的实际程序。简述了一种纳米级晶体结构细化方法和CBED测定电荷密度和晶体电位的方法。
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更新日期:2011-08-01
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