总结：已经通过扫描电子显微镜 (SEM) 研究了在湿法磷酸生产条件下，CaSO 4 • 0.5H 2 O 在溶解的天然氟磷灰石 (FAP) 晶体表面上外延晶体生长的过程。通过 SEM 在二次电子模式下工作，我们能够确定涂层形成的主要阶段，包括直接测量单个针状 CaSO 4 • 0.5H 2 O 晶体的厚度和生长速率值。首次实现了对 CaSO 4 • 0.5H 2 O 外延晶体生长的聚集机制的确认，该机制较早在化学结晶条件下建立。其机理包括以下步骤：(1) CaSO 4 • 0.5H 2 O 的超微晶形成，(2) 它们通过相互聚集而聚结成针状晶体，(3) 针状晶体结合成星状和贝索状聚集体，(4) 后者形成大聚集体。我们发现这些步骤同时发生，导致形成多层涂层。在研究过程中，通过外延 CaSO 4 • 0.5H 2 O 涂层相互间生长导致 FAP 晶体聚集的现象以及在 CaSO 4 • 0.5H 2 O 涂层形成条件下 FAP 晶体表面蚀刻工艺的特点进行了分析。也学过。



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