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单晶与多晶碳化硅纳米加工机理的分子动力学模拟
Advanced Theory and Simulations ( IF 2.9 ) Pub Date : 2021-07-03 , DOI: 10.1002/adts.202100113
Bing Liu 1 , Haijie Yang 1 , Zongwei Xu 2 , Dongai Wang 1 , Hongwei Ji 1
Advanced Theory and Simulations ( IF 2.9 ) Pub Date : 2021-07-03 , DOI: 10.1002/adts.202100113
Bing Liu 1 , Haijie Yang 1 , Zongwei Xu 2 , Dongai Wang 1 , Hongwei Ji 1
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作为一种先进的陶瓷材料，碳化硅（SiC）被广泛应用于众多行业。本研究采用分子动力学方法比较研究了单晶碳化硅（mono-SiC）和多晶碳化硅（poly-SiC）陶瓷的纳米加工机理。对使用和不使用超声波振动辅助加工 (UVAM) 的两种材料进行了四次模拟。金刚石工具设置为非刚体，沿深度方向振动，频率为 100 GHz，振幅为 0.5 nm。深入分析了材料和超声振动对碳化硅纳米加工机理的影响，包括表面生成、次表面损伤和刀具磨损。确定了UVAM可以有效提高SiC陶瓷的切削加工性。多晶碳化硅的机加工损伤程度比单晶碳化硅更严重。还发现UVAM可以有效减少加工损伤，降低加工阻力，增加韧性去除的可能性，但带来的刀具磨损稍大。
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更新日期：2021-08-07
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