已经对通过逆温度梯度几何中的低温化学蒸汽传输生长的厚（100-600 μm）和薄（10-100 μm）2H/4H 多型 SnS2 晶体进行了化学和结构表征。X 射线衍射表明 2H/4H-SnS2 相在 6-12 个月内转变为单晶 2H-SnS2。S/Sn 比在厚晶体中为 2.02±0.01，在薄晶体中为 2.01±0.01。热重/差热分析和其他表征技术显示两种晶体之间没有区别。通过二次离子质谱和/或 X 射线光电子能谱 (XPS) 检测到极少量的碳和氧以及一些氯。这些元素集中在表面。XPS 数据显示了表面层中锡和硫的化学位移，这可能是由吸附的碳和氧引起的；然而，这不能用锡和硫的常见氧化物的形成来解释。



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