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有机 MISIM 器件中界面极化的稳定性和极化滞后的感应
ACS Applied Materials & Interfaces ( IF 8.3 ) Pub Date : 2021-07-01 , DOI: 10.1021/acsami.1c08417 Seiya Yokokura 1 , Akihiro Tomimatsu 1 , Jun Ishiguro 1 , Jun Harada , Haruka Takahashi , Yukihiro Takahashi , Yuto Nakamura 2 , Hideo Kishida 2 , Rie Suizu 1 , Michio M Matsushita 1 , Kunio Awaga 1
ACS Applied Materials & Interfaces ( IF 8.3 ) Pub Date : 2021-07-01 , DOI: 10.1021/acsami.1c08417 Seiya Yokokura 1 , Akihiro Tomimatsu 1 , Jun Ishiguro 1 , Jun Harada , Haruka Takahashi , Yukihiro Takahashi , Yuto Nakamura 2 , Hideo Kishida 2 , Rie Suizu 1 , Michio M Matsushita 1 , Kunio Awaga 1
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分子基铁电体因其柔韧性好、重量轻、环境负荷低等优点而备受关注。在目前的工作中，我们研究了一种有机金属|半导体（MISIM）器件结构，以稳定 S 层中的界面极化并在没有体铁电体的情况下引起极化滞后。具有 I = 聚对二甲苯 C 和 S = TMB (=3,3',5,5'-四甲基联苯胺)-TCNQ (=四氰基醌二甲烷) 的 MISIM 器件在极化电压 ( P – V) 曲线不仅在室温下，而且在低至 80 K 的宽温度范围内也是如此。 MISIM 器件的极化滞后的存在在理论上被静电模型证实，这也解释了观察到的 I 层对P 的厚度依赖性– V曲线。在使用典型有机半导体（ZnPc、C 60和 TCNQ）作为 S 层的MISIM 器件中也获得了极化滞后曲线，证明了界面极化机制的多功能性。
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更新日期：2021-07-14
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