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通过 PECVD 生长碳纳米管：综述
Plasma Sources Science and Technology ( IF 3.3 ) Pub Date : 2003-04-02 , DOI: 10.1088/0963-0252/12/2/312
M Meyyappan , Lance Delzeit , Alan Cassell , David Hash
Plasma Sources Science and Technology ( IF 3.3 ) Pub Date : 2003-04-02 , DOI: 10.1088/0963-0252/12/2/312
M Meyyappan , Lance Delzeit , Alan Cassell , David Hash
碳纳米管 (CNT) 由于其独特的电子和非凡的机械性能，在广泛的应用中受到了广泛关注。最近，等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 已成为生产垂直排列的纳米管的关键生长技术。本文综述了目前用于 CNT 生长、催化剂制备和生长结果的各种等离子体源。由于该技术处于早期阶段，人们普遍缺乏对生长机制、等离子体本身的作用以及负责生长的关键物种的身份的了解。这篇综述针对的是低温等离子体研究界，他们通过等离子体和表面诊断和建模，在半导体加工和金刚石薄膜生长中成功地解决了这些问题。
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更新日期：2003-04-02
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