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表征 AFM 在 Si 上生长的 SiO2 的表面粗糙度
Microelectronics Reliability ( IF 1.6 ) Pub Date : 2001-07-01 , DOI: 10.1016/s0026-2714(01)00078-6
D. Hill , X. Blasco , M. Porti , M. Nafrı́a , X. Aymerich
Microelectronics Reliability ( IF 1.6 ) Pub Date : 2001-07-01 , DOI: 10.1016/s0026-2714(01)00078-6
D. Hill , X. Blasco , M. Porti , M. Nafrı́a , X. Aymerich
摘要 如果将由氧化物制成的纳米器件集成到标准微电子技术中，则需要检查 AFM 生长的 SiO 2 作为栅极氧化物的可靠性。在本文中，我们展示了我们在大面积氧化物的 AFM 制造和形貌表征方面的初步结果，接下来是电气表征。粗糙度是这项工作的核心问题，因为它与超薄电介质的质量有关。
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更新日期：2001-07-01
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