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金属 Pd、Ag 和 Sn 的俄歇光电子符合光谱 (APECS) 光谱分析
Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena ( IF 1.8 ) Pub Date : 2005-07-01 , DOI: 10.1016/j.elspec.2005.01.035
Masahide Ohno
Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena ( IF 1.8 ) Pub Date : 2005-07-01 , DOI: 10.1016/j.elspec.2005.01.035
Masahide Ohno
摘要 考虑到 M4–M5–VV Coster–Kronig (CK) 跃迁之前发生的可能性,分析了与 M45–VV( 1 G) 俄歇电子线重合测量的 Ag 金属的 M45 级光电子谱。俄歇过渡。我们分别用 MX(MXY) 和 V 表示原子壳 M x (M xy ) 和 N xy ( x , y = 4,5) 。M4-M5 CK 转换率非常小。分析了与 M4(或 M5)级光电子线同时测量的金属 Pd 和 Sn 的 M45-VV 俄歇电子光谱。M4-M5 CK 转变率在金属 Pd 和 Sn 中也非常小。先前被解释为 M4-M5-VV(或 M4-M5V-VVV)俄歇电子线的重合俄歇电子线主要是由于 M4 级光电子线下方的非弹性散射 M5 级光电子背景。Pd 金属的 APECS 光谱显示了局部 M5V 振动两孔态的 M5V-VVV 跃迁的第一个证据。与测量的结果相比,与 M4 级光电发射线下方的非弹性散射 M5 级光电子背景同时测量的非弹性散射俄歇电子背景与 Ag 金属的 M5-VV 俄歇电子主线的强度比增加与 M5 级光电子主线重合。这是因为当光电子非弹性散射的概率增加时,同一电离原子发射的俄歇电子非弹性散射的概率增加。换句话说,光电子和俄歇电子来自更深的原子位点(更长的路径长度)。
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更新日期:2005-07-01

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