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Gd2S3的电子结构和非金属-金属转变的光学研究
Journal of the Physical Society of Japan ( IF 1.5 ) Pub Date : 1993-12-15 , DOI: 10.1143/jpsj.62.4331
Shin-ichi Kimura 1 , Fumitaka Arai 1 , Takashi Suzuki 2 , Mikihiko Ikezawa 1
Journal of the Physical Society of Japan ( IF 1.5 ) Pub Date : 1993-12-15 , DOI: 10.1143/jpsj.62.4331
Shin-ichi Kimura 1 , Fumitaka Arai 1 , Takashi Suzuki 2 , Mikihiko Ikezawa 1
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磁性半导体材料 Gd 2 S 3 (=Gd 3- x V x S 4 ，其中 V 表示空位，x = 1/3) 的反射光谱在 2 meV 到 40 eV 的能量范围内在 9, 20 , 77 和 300 K。从光导率和光电子光谱之间的比较，获得了占据和未占据电子态的能量位置和形状。高于 77 K，该材料显示出金属反射光谱，但在低于 20 K 的费米能级上打开了约 7 meV 的能隙。推断非金属-金属过渡的起源源于磁极化子态的产生。
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更新日期：1993-12-15
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