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四硫富瓦烯-四氰基醌二甲烷 (TTF·TCNQ) 和相关高导电有机配合物的 X 射线光电子能谱研究
Bulletin of the Chemical Society of Japan ( IF 3.3 ) Pub Date : 1980-07-01 , DOI: 10.1246/bcsj.53.1871
Isao Ikemoto 1 , Masamichi Yamada 1 , Tadashi Sugano 1 , Haruo Kuroda 1
Bulletin of the Chemical Society of Japan ( IF 3.3 ) Pub Date : 1980-07-01 , DOI: 10.1246/bcsj.53.1871
Isao Ikemoto 1 , Masamichi Yamada 1 , Tadashi Sugano 1 , Haruo Kuroda 1
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通过X射线光电子能谱（XPS）研究了四硫富瓦烯-四氰基醌二甲烷（TTF·TCNQ）和相关的高导电有机配合物。发现TTF·TCNQ蒸镀膜的N 1s峰形在X射线照射下发生了变化；N 1s 峰的高结合能肩峰强度随着 X 射线照射时间的增加而增加，最终显示出一个与主峰相距约 1.5 eV 的新峰。发现 TTF·TCNQ 在表面和本体中均为 1:1。TTF·TCNQ和其他TTF配合物以及5,6:11,12-双(二硫)萘(四硫并四苯，TTT)配合物中的电荷转移量由S 2p 峰形分析确定。电荷转移量在TTF·TCNQ中为0.56±0.05，在TTF·TNAP（四氰基萘醌二甲烷）中为0.55±0.05。
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更新日期：1980-07-01
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