当前位置：
X-MOL 学术
›
ACS Appl. Mater. Interfaces
›
论文详情
Our official English website, www.x-mol.net, welcomes your
feedback! (Note: you will need to create a separate account there.)
基于二维过渡金属硫属化物的光电人工突触
ACS Applied Materials & Interfaces ( IF 8.3 ) Pub Date : 2021-06-25 , DOI: 10.1021/acsami.1c03202 Lei Liu 1, 2 , Ziqiang Cheng 2, 3 , Bei Jiang 1 , Yanxin Liu 1, 2 , Yanli Zhang 2 , Fan Yang 2 , Jiahong Wang 2 , Xue-Feng Yu 2 , Paul K Chu 4 , Cong Ye 1
ACS Applied Materials & Interfaces ( IF 8.3 ) Pub Date : 2021-06-25 , DOI: 10.1021/acsami.1c03202 Lei Liu 1, 2 , Ziqiang Cheng 2, 3 , Bei Jiang 1 , Yanxin Liu 1, 2 , Yanli Zhang 2 , Fan Yang 2 , Jiahong Wang 2 , Xue-Feng Yu 2 , Paul K Chu 4 , Cong Ye 1
Affiliation
|
忆阻器是人工突触的基础器件，对于实现下一代神经形态计算至关重要。在此，设计并演示了基于二维 (2D) 过渡金属三硫属化物 (TMTC) 的光电忆阻器。由于三硫化钛 (TiS 3)，由于导电铝丝的可控形成和断裂，忆阻器表现出稳定的双极电阻开关 (RS)。多级存储是通过 400 到 808 nm 之间的多个波长的光实现的，并实现了传导调制和尖峰时序相关可塑性 (STDP) 等突触特性。基于光子增强和电习惯能力，在这种基于TiS 3的人工突触上成功建立了巴甫洛夫联想学习。所有这些结果都揭示了 2D TMTC 在人工神经形态芯片中的巨大潜力。
"点击查看英文标题和摘要"
更新日期：2021-07-07
"点击查看英文标题和摘要"
京公网安备 11010802027423号