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AFM 生长的 SiO2on Si 的形貌表征
Nanotechnology ( IF 2.9 ) Pub Date : 2001-05-25 , DOI: 10.1088/0957-4484/12/2/307
X Blasco , D Hill , M Porti , M Nafría , X Aymerich
Nanotechnology ( IF 2.9 ) Pub Date : 2001-05-25 , DOI: 10.1088/0957-4484/12/2/307
X Blasco , D Hill , M Porti , M Nafría , X Aymerich
为了确定原子力显微镜 (AFM) 生长的 SiO2 是否适合用作纳米电子学中的栅极氧化物，需要对这些薄膜进行表征。在本文中，介绍了大面积 SiO2 图案的 AFM 制造和地形表征的结果。由于 SiO2 表面和 SiO2-Si 界面粗糙度对超薄电介质质量的重要性，本文围绕 SiO2 表面和 SiO2-Si 界面粗糙度展开。我们的结果显示与热氧化物获得的值非常相似，因此我们建议 AFM 生长的 SiO2 是纳米器件中栅极氧化物应用的合适候选者。
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更新日期：2001-05-25
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