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具有噻吩桥的交叉共轭和共轭硒代苯并噻吩的电聚合、光谱电化学和电致变色性能
Synthetic Metals ( IF 4.0 ) Pub Date : 2021-06-22 , DOI: 10.1016/j.synthmet.2021.116836
Gulsen Turkoglu , Turan Ozturk

两种新型硒吩并噻吩均聚物P(SeT1)P(SeT2)首次由其相应的单体 (i) 共轭 2,5-二(噻吩-2-基) 硒酚 [3,2-b] 电化学制备噻吩 ( 1 ) 和 (ii) 交叉共轭的 2,5-二(噻吩-2-基) 硒酚 [2,3-b] 噻吩 ( 2 ) 以探索它们的电致变色行为。系统研究了共轭和交叉共轭对聚合物电致变色性能以及电化学和光谱电化学的影响。虽然P(SeT2)的交叉共轭聚合物薄膜在氧化时显示出从黄色到浅绿色的颜色变化,但P(SeT1)的共轭聚合物薄膜在中性状态下呈橙色,在氧化状态下呈紫红色。与聚合物P(SeT2 ) (2.27 eV)相比,聚合物P(SeT1)由于其扩展的 π 共轭,具有 1.82 eV 的较低光学带隙。它们的电致变色性能表明P(SeT2)具有更高的光学对比度 (46.2%) 和更低的响应时间(680 nm 处的氧化时间为 1.34 s)。第一个电化学合成的聚(硒吩并噻吩)薄膜表现出良好的电化学活性和电致变色性能。此外,这项开创性研究提出了一种设计和制备具有硒代苯并噻吩单元的有机电致变色材料的新策略。





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更新日期:2021-06-22
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