摘要 在 400 至 1200°C 的温度范围内，研究了 Cr、Co 和 Ni 金属薄膜与 LPCVD Si3N4 薄膜之间的固态界面反应。通过TEM、SEM、X射线衍射和俄歇电子能谱分析了反应产物的组成、结构和分布。选择 Cr、Co 和 Ni 金属进行比较，因为它们与 Si 和氮的化学反应性不同。在 Co、Ni/Si3N4/Si 系统的情况下，金属硅化物的形成受到金属和 Si 通过 Si3N4 层的反向扩散的影响。结果，在Si3N4膜的两侧获得了金属硅化物的岛状结构。在 Cr/Si3N4/Si 的情况下，Cr 在 900°C 以上还原氮化硅以产生硅化铬和氮化物的多相结构。基于已发表的相图的热力学考虑被用来解释实验结果。



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