回顾和检查了 Si-SiO2 系统的微观结构特征及其缺陷的化学物理。主题按科学共性分组，而不是按通常的技术表现形式分组。强调了原子和分子大小实体的作用，而后者仅限于仅包含 Si、O、H 或其组合的实体。大多数报道的研究涉及 X 射线或电子衍射、俄歇或光电子能谱、卢瑟福背散射、电子自旋共振或电容电压或深能级瞬态光谱。几种形式的结晶和无定形玻璃状二氧化硅被认为是讨论硅片上薄膜热二氧化硅的基础。局部晶格对称性、化学计量、键长和键角、空位和空隙、悬空轨道中心、固定和迁移的氢物种得到广泛处理。总结了相关理论的要素。总体而言，希望为未来开发 Si-SiO2 系统中基本电子现象的通用模型提供可靠的数据基础。



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