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α-Al 2 O 3薄膜的低温原子层沉积
Crystal Growth & Design ( IF 3.2 ) Pub Date : 2021-06-14 , DOI: 10.1021/acs.cgd.1c00471 Lauri Aarik 1 , Hugo Mändar 1 , Peeter Ritslaid 1 , Aivar Tarre 1 , Jekaterina Kozlova 1 , Jaan Aarik 1
Crystal Growth & Design ( IF 3.2 ) Pub Date : 2021-06-14 , DOI: 10.1021/acs.cgd.1c00471 Lauri Aarik 1 , Hugo Mändar 1 , Peeter Ritslaid 1 , Aivar Tarre 1 , Jekaterina Kozlova 1 , Jaan Aarik 1
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研究了Al 2 O 3薄膜在Si(100)和α-Cr 2 O 3上的原子层沉积。薄膜通过 AlCl 3 -H 2 O、AlCl 3 -O 3、Al(CH 3 ) 3 -H 2 O 和 Al(CH 3 ) 3 -O 3工艺在 300-750 °C 下生长。由 AlCl 3和 H 2 O 在 ≥ 400 °C 的温度下在 α-Cr 2 O 3上沉积的薄膜含有刚玉相氧化铝 (α-Al 2 O 3）。α-Al 2 O 3薄膜的密度和折射率接近单晶α-Al 2 O 3的相应值，明显超过非晶Al 2 O 3。α-Al 2 O 3相也在 450 °C 下从 AlCl 3和 O 3以及 Al(CH 3 ) 3和 H 2 O在 α-Cr 2 O 3上沉积的薄膜中获得。然而，结晶度，后者薄膜的密度和折射率低于 450 °C 沉积在 α-Cr 2上的薄膜来自 AlCl 3和 H 2 O 的O 3。在热 (110 °C) 80% H 2 SO 4中蚀刻用于表征薄膜在腐蚀性环境中的耐化学性。在 450–750 °C 沉积的 α-Al 2 O 3的蚀刻速率比以非晶态为主的 Al 2 O 3的蚀刻速率低 1000 多倍，也低于在750°C，并含有γ-Al 2 O 3、δ-Al 2 O 3和/或θ-Al 2 O 3。
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更新日期：2021-07-07
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