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通过 a-Si/a-SiGe pin 型太阳能电池拓宽光谱响应宽度
Japanese Journal of Applied Physics ( IF 1.5 ) Pub Date : 1981-01-01 , DOI: 10.7567/jjaps.20s2.227
Genshiro Nakamura , Kazuhiko Sato , Yoshinori Yukimoto , Kiyoshi Shirahata

我们报告了 MIS 型 a-Si:H 太阳能电池、使用四极杆质量分析器的等离子体分析和改善长波长区域光谱响应的串联型太阳能电池。插入 TiOx 层作为绝缘体的 MIS 型 a-Si:H 太阳能电池显示出 4.4% 的转换效率。短波长区域收集效率的提高是通过添加 TiOx 膜降低界面态密度来实现的。等离子聚合物质,(SiHm+)2,随着射频功率增加到 40-50 W,并由于分解为 (SiHm+) 物质而减少,但在 GeH4 反应的情况下,(GeHm+)2 物质随着射频功率。a-SiGe:H 薄膜沉积的合适条件与 SiH4 和 GeH4 气体的聚合和分解行为有关,在 (GeHm+)2 分解之前,在相对较低的射频功率条件下获得高质量的薄膜。串联型非晶太阳能电池的覆盖效率为3.2%,长波长区域的收集效率明显提高。



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更新日期:1981-01-01
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