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通过引入同质外延层抑制在 LaSrAlO$_{4}$ 基板上生长的 La$_{2-x}$Sr$_{x}$CuO$_{4}$ 薄膜中的沉淀物
Japanese Journal of Applied Physics ( IF 1.5 ) Pub Date : 2011-09-20 , DOI: 10.1143/jjap.50.093101
Bing-Sheng Li 1, 2, 3 , Akihito Sawa 3 , Hiroshi Okamoto 1, 2, 3
Japanese Journal of Applied Physics ( IF 1.5 ) Pub Date : 2011-09-20 , DOI: 10.1143/jjap.50.093101
Bing-Sheng Li 1, 2, 3 , Akihito Sawa 3 , Hiroshi Okamoto 1, 2, 3
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我们研究了 LaSrAlO4 (LSAO) 同质外延层 (HL) 对通过脉冲激光沉积在单晶 LSAO (001) 衬底上生长的 La2-xSrxCuO4 (LSCO) 薄膜质量的影响。LSAO HL 的引入显着抑制了 LSCO 薄膜中杂质相的分离，尤其是在更高的 Sr 掺杂范围 (x > 0.20) 中，导致表面形貌的改善。杂质相的抑制也使我们能够获得所需的 LSCO 薄膜的化学计量，其在 x 温度相图中显示出与大块样品非常相似的超导圆顶。
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更新日期：2011-09-20
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