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CsPbX3-ITO (X = Cl, Br, I) Nano-Heterojunctions: Voltage Tuned Positive to Negative Photoresponse
Small ( IF 13.0 ) Pub Date : 2021-06-09 , DOI: 10.1002/smll.202101403
Qiqian He 1 , Gaoyu Chen 1 , Yongkai Wang 1 , Xiaoyu Liu 1 , Danting Xu 1 , Xiangxing Xu 1 , Ying Liu 1 , Jianchun Bao 1 , Xun Wang 2
Small ( IF 13.0 ) Pub Date : 2021-06-09 , DOI: 10.1002/smll.202101403
Qiqian He 1 , Gaoyu Chen 1 , Yongkai Wang 1 , Xiaoyu Liu 1 , Danting Xu 1 , Xiangxing Xu 1 , Ying Liu 1 , Jianchun Bao 1 , Xun Wang 2
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All-Inorganic perovskite CsPbX3 (X = Cl, Br, I) quantum dots (QDs) have attracted tremendous attention in the past few years for their appealing performance in optoelectronic applications. Major properties of CsPbX3 QDs include the positive photoconductivity (PPC) and the defect tolerance of the in-band trap states. Here it is reported that when hybridizing CsPbX3 QDs with indium tin oxide (ITO) nanocrystals to form CsPbX3-ITO nano-heterojunctions (NHJs), a voltage tuned photoresponse—from PPC to negative photoconductivity (NPC) transform—is achieved in lateral drain-source structured ITO/CsPbX3-ITO-NHJs/ITO devices. A model combining exciton, charge separation, transport, and most critical the voltage driven electron filling of the in-band trap states with drain–source voltage (VDS) above a threshold, is proposed to understand this unusual PPC-NPC transform mechanism, which is different from that of any known nanomaterial system. This finding exhibits potentials for developing devices such as photodetectors, optoelectronic switches, and memories.
中文翻译：
CsPbX3-ITO (X = Cl, Br, I) 纳米异质结：电压调整为正负光响应
全无机钙钛矿 CsPbX 3 (X = Cl, Br, I) 量子点 (QD) 在过去几年中因其在光电应用中的吸引人的性能而引起了极大的关注。CsPbX 3 QD 的主要特性包括正光电导性 (PPC) 和带内陷阱态的缺陷容限。据报道，当将 CsPbX 3 QD 与氧化铟锡 (ITO) 纳米晶体杂交以形成 CsPbX 3 -ITO 纳米异质结 (NHJ) 时，电压调谐的光响应——从 PPC 到负光电导 (NPC) 转换——是在横向上实现的。漏源结构 ITO/CsPbX 3-ITO-NHJs/ITO 设备。提出了一种结合激子、电荷分离、传输和最关键的带内陷阱状态的电压驱动电子填充以及高于阈值的漏源电压 ( V DS ) 的模型，以了解这种不寻常的 PPC-NPC 变换机制，这不同于任何已知的纳米材料系统。这一发现展示了开发光电探测器、光电开关和存储器等设备的潜力。
更新日期：2021-07-15
中文翻译：
CsPbX3-ITO (X = Cl, Br, I) 纳米异质结：电压调整为正负光响应
全无机钙钛矿 CsPbX 3 (X = Cl, Br, I) 量子点 (QD) 在过去几年中因其在光电应用中的吸引人的性能而引起了极大的关注。CsPbX 3 QD 的主要特性包括正光电导性 (PPC) 和带内陷阱态的缺陷容限。据报道，当将 CsPbX 3 QD 与氧化铟锡 (ITO) 纳米晶体杂交以形成 CsPbX 3 -ITO 纳米异质结 (NHJ) 时，电压调谐的光响应——从 PPC 到负光电导 (NPC) 转换——是在横向上实现的。漏源结构 ITO/CsPbX 3-ITO-NHJs/ITO 设备。提出了一种结合激子、电荷分离、传输和最关键的带内陷阱状态的电压驱动电子填充以及高于阈值的漏源电压 ( V DS ) 的模型，以了解这种不寻常的 PPC-NPC 变换机制，这不同于任何已知的纳米材料系统。这一发现展示了开发光电探测器、光电开关和存储器等设备的潜力。
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