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La0.7Sr0.3MnO3/BaTiO3/ITO铁电隧道结中的可切换光有源肖特基势垒
Advanced Electronic Materials ( IF 5.3 ) Pub Date : 2021-05-13 , DOI: 10.1002/aelm.202100069 Alberto Rivera‐Calzada 1 , Fernando Gallego 1 , Yoav Kalcheim 2 , Pavel Salev 2 , Javier del Valle 2 , Isabel Tenreiro 1 , Carlos León 1 , Jacobo Santamaría 1 , Ivan K. Schuller 2
Advanced Electronic Materials ( IF 5.3 ) Pub Date : 2021-05-13 , DOI: 10.1002/aelm.202100069 Alberto Rivera‐Calzada 1 , Fernando Gallego 1 , Yoav Kalcheim 2 , Pavel Salev 2 , Javier del Valle 2 , Isabel Tenreiro 1 , Carlos León 1 , Jacobo Santamaría 1 , Ivan K. Schuller 2
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非易失性存储器和忆阻器最理想的特性之一是快速且无损地读取其电阻状态。原型铁电 (FE) 存储器使用与 FE 薄膜极化相关的体光伏响应，通过光学传感二进制存储单元来满足这一要求。一种更高级的非易失性存储器是 FE 隧道结 (FTJ)。它们的电阻状态比R High / R Low高达 10 6，可访问连续的电阻状态，使它们成为神经形态计算应用的有希望的候选者。提出了一种在 La 0.7 Sr 0.3 MnO 中实现电阻态光学传感的新方法3 /BaTiO 3 /ITO FTJ，通过使用在 La 0.7 Sr 0.3 MnO 3 /BaTiO 3界面中形成的肖特基势垒来显着增强 5 nm BaTiO 3 (BTO) 势垒的光学响应。通过顶部透明 ITO 电极使用超过 BTO 带隙的紫外线照射会在R高态下产生光伏响应，在 20 K 时开路电压V oc为 400 mV，从而实现电阻态的光学传感。在R Low状态下，肖特基势垒被去除，光响应消失。
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更新日期：2021-06-10
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