紫外线 B 发光二极管与单量子阱或三量子阱的比较,Physica Status Solidi (A) - Applications and Materials Science

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紫外线 B 发光二极管与单量子阱或三量子阱的比较
Physica Status Solidi (A) - Applications and Materials Science Pub Date : 2021-05-07 , DOI: 10.1002/pssa.202100100
Tim Kolbe _{1,

2} , Arne Knauer ₁ , Jan Ruschel ₁ , Jens Rass _{1,

2} , Hyun Kyong Cho ₁ , Sylvia Hagedorn ₁ , Johannes Glaab ₁ , Neysha Lobo Ploch _{1,

2} , Sven Einfeldt ₁ , Markus Weyers ₁

Affiliation

比较了发射波长为 310 nm 的发光二极管 (LED)，其中包含单量子阱或三量子阱的效率和长期稳定性。此外，还研究了下量子阱势垒的厚度和单量子阱 (SQW) LED 中量子阱厚度的影响。电致发光测量表明，与三量子阱 (TQW) LED 相比，SQW LED 的初始输出功率高出 28%，因为 LED 异质结构的电光模拟显示，由于 SQW 中载流子的空间重叠更大。然而，在恶劣条件下运行 1 小时后，TQW LED 显示出比 SQW LED 更高的输出功率。对于 SQW LED，发现对于更厚的下量子阱势垒（65 nm 而不是 25 nm），初始输出功率降低约 15%。

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更新日期：2021-05-07

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