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通过自嵌入消除硫化铬的层间势垒，以增强析氢反应
ACS Applied Materials & Interfaces ( IF 8.3 ) Pub Date : 2021-03-09 , DOI: 10.1021/acsami.0c20577 Meixia Su 1 , Wenda Zhou 1, 2 , Zhenzhen Jiang 1 , Mingyue Chen 1 , Xingfang Luo 1 , Jun He 3 , Cailei Yuan 1
ACS Applied Materials & Interfaces ( IF 8.3 ) Pub Date : 2021-03-09 , DOI: 10.1021/acsami.0c20577 Meixia Su 1 , Wenda Zhou 1, 2 , Zhenzhen Jiang 1 , Mingyue Chen 1 , Xingfang Luo 1 , Jun He 3 , Cailei Yuan 1
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具有层间差的电荷传输的层状过渡金属二卤化氢（TMD）中的范德华（vdW）间隙被认为是TMD更高的析氢反应（HER）性能的瓶颈。用嵌入剂填充TMDs材料的vdW间隙被认为是产生新的有趣特性的好方法。但是，合成后插入异物可能会带来额外的晶体缺陷和低产率。在这项工作中，克服TMD所夹层潜在障碍，化合物CrS 2个-Cr 1/3 -crs 2是由天然自嵌入天然产生的Cr的1/3原子平面成层状范德华化合物CrS 2。CrS 2 -Cr 1/3 -CrS 2具有强化学键和高电导率，可提供出色的HER电催化性能。此外，基于第一性原理计算和实验验证，插入的Cr原子显示出吸附的氢的吉布斯自由能接近于零，并可以进一步改善电催化HER性能。我们的工作为电催化应用的自嵌入提供了新的观点。
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更新日期：2021-03-24
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