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AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管通过氟处理和凹槽栅增强模式的充电效应
Nanomaterials ( IF 4.4 ) Pub Date : 2020-10-24 , DOI: 10.3390/nano10112116 Soo Cheol Kang , Hyun-Wook Jung , Sung-Jae Chang , Seung Mo Kim , Sang Kyung Lee , Byoung Hun Lee , Haecheon Kim , Youn-Sub Noh , Sang-Heung Lee , Seong-Il Kim , Ho-Kyun Ahn , Jong-Won Lim
Nanomaterials ( IF 4.4 ) Pub Date : 2020-10-24 , DOI: 10.3390/nano10112116 Soo Cheol Kang , Hyun-Wook Jung , Sung-Jae Chang , Seung Mo Kim , Sang Kyung Lee , Byoung Hun Lee , Haecheon Kim , Youn-Sub Noh , Sang-Heung Lee , Seong-Il Kim , Ho-Kyun Ahn , Jong-Won Lim
利用凹栅和CF4等离子体处理技术制造了增强型AlGaN / GaN金属绝缘体半导体高电子迁移率晶体管，以研究其在大功率器件和电路中的可靠适用性。氟化栅器件在直流电流-电压测量期间显示出磁滞现象，并且磁滞现象的极性和大小取决于漏极电压。磁滞现象归因于电子在Al2O3 / AlGaN界面处的俘获，并且通过脉冲IV测量获得的充电时间长于毫秒。另外，由于离子化氟使二维电子气还原，在正栅极偏置应力之后，氟化栅器件的亚阈值斜率增加。
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更新日期：2020-10-24
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