当前位置:
X-MOL 学术
›
MATERIALS TRANSACTIONS
›
论文详情
Our official English website, www.x-mol.net, welcomes your
feedback! (Note: you will need to create a separate account there.)
X射线光电子能谱表征氮离子辐照的多晶钨表面
MATERIALS TRANSACTIONS Pub Date : 2016-01-01 , DOI: 10.2320/matertrans.m2016107 Yoshitomo Kamiura 1 , Kenji Umezawa 1 , Yuden Teraoka 2 , Akitaka Yoshigoe 2
MATERIALS TRANSACTIONS Pub Date : 2016-01-01 , DOI: 10.2320/matertrans.m2016107 Yoshitomo Kamiura 1 , Kenji Umezawa 1 , Yuden Teraoka 2 , Akitaka Yoshigoe 2
Affiliation
用离子束装置在室温下用2.5keV的两种氮离子̶N+和N2̶辐照多晶钨表面。使用SPring-8上的同步加速器辐射进行的X射线光电子能谱(XPS)实验的结果表明,用任何一种离子照射钨样品时,W 4f7 / 2和W的半峰全宽(FWHM) 4f5 / 2峰加宽,与WO3结合能相对应的35.8 eV和37.8eV̶处的峰略有增加;这表明在界面下方的次表面形成了氮化钨。氮离子束辐照后钨的N 1s光谱分解为四个组分峰。观察到这些组分峰的位置与标准氧氮化钨W0.62(N0.62O0.38)的位置相同,在X射线衍射分析中显示出W2N峰。在397.3 eV和398.1 eV处的主要分解峰分别归因于WN键和WNO键。397.3 eV处的N 1s峰与W 4f双重峰(对应于WN键)的强度比随逸出深度的变化,这是通过角度分辨XPS测量的,显然遵循正态分布。辐照样品。这表明用N 2离子辐照的钨表面的WN键密度高于用N +离子辐照的表面的WN键密度,并且表明N 2离子比N +离子渗透的深度略深。[doi:10.2320 / matertrans.M2016107] 397.3 eV处的N 1s峰与W 4f双重峰(对应于WN键)的强度比随逸出深度的变化,这是通过角度分辨XPS测量的,显然遵循正态分布。辐照样品。这表明用N 2离子辐照的钨表面的WN键密度高于用N +离子辐照的表面的WN键密度,并且表明N 2离子比N +离子渗透的深度略深。[doi:10.2320 / matertrans.M2016107] 397.3 eV处的N 1s峰与W 4f双重峰(对应于WN键)的强度比随逸出深度的变化,这是通过角度分辨XPS测量的,显然遵循正态分布。辐照样品。这表明用N 2离子辐照的钨表面的WN键密度高于用N +离子辐照的表面的WN键密度,并且表明N 2离子比N +离子渗透的深度略深。[doi:10.2320 / matertrans.M2016107] 这表明用N 2离子辐照的钨表面的WN键密度高于用N +离子辐照的表面的WN键密度,并且表明N 2离子比N +离子渗透的深度略深。[doi:10.2320 / matertrans.M2016107] 这表明用N 2离子辐照的钨表面的WN键密度高于用N +离子辐照的表面的WN键密度,并且表明N 2离子比N +离子渗透的深度略深。[doi:10.2320 / matertrans.M2016107]
"点击查看英文标题和摘要"
更新日期:2016-01-01

"点击查看英文标题和摘要"