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P-25：具有LDD和源极接触的底部屏蔽金属的LTPS TFT的扭结效应分析
SID Symposium Digest of Technical Papers Pub Date : 2017-06-02 , DOI: 10.1002/sdtp.11890
Ki Woo Kim 1, 2 , Jong Suk Kang 1 , Dona Jae Shin 1 , Hoewoo Ku 1 , In Byeong Kang 1 , Kyung Ho Lee 1 , Hyun Jae Kim 2
SID Symposium Digest of Technical Papers Pub Date : 2017-06-02 , DOI: 10.1002/sdtp.11890
Ki Woo Kim 1, 2 , Jong Suk Kang 1 , Dona Jae Shin 1 , Hoewoo Ku 1 , In Byeong Kang 1 , Kyung Ho Lee 1 , Hyun Jae Kim 2
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在塑料OLED（POLED）显示器中，应用底部屏蔽金属（BSM）层可消除塑料基板内移动电荷的影响。但是，这种BSM会导致异常扭结效应，这与具有LDD的传统LTPS TFT显着不同。在研究中，我们研究了带有BSM的n型LTPS TFT的异常扭结效应，特别是与源电极接触的扭结效应。通过实验和TCAD仿真，我们确认并分析了这种扭结特性是由与源BSM接触的源引起的，并且强烈依赖于主动缓冲层的厚度，LDD长度和BSM长度。
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更新日期：2017-06-02
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