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6.4：LDD结构对TFT器件特性的影响
SID Symposium Digest of Technical Papers Pub Date : 2019-10-04 , DOI: 10.1002/sdtp.13385 Lin Xu 1 , Rusheng Liu 1 , Bo Yuan 1 , Zhe Du 1 , Yucheng Liu 1 , Junfeng Li 1
SID Symposium Digest of Technical Papers Pub Date : 2019-10-04 , DOI: 10.1002/sdtp.13385 Lin Xu 1 , Rusheng Liu 1 , Bo Yuan 1 , Zhe Du 1 , Yucheng Liu 1 , Junfeng Li 1
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低温多晶硅薄膜晶体管（LTPS TFT）由于其更高的载流子迁移率和更好的导电性而在平板显示器和其他领域具有广阔的应用前景。出于针对更高分辨率的平板显示设备的发展，迫切需要对小型LTPS TFT技术进行研究。当通道大小减小到一定程度时，逐渐逼近通道的效果不再有效。结果，短沟道效应和热载流子效应将对LTPS TFT器件产生重大影响。为了缓解并最终消除这两种影响，我们在LTPS TFT器件中引入并实现了轻掺杂漏极（LDD）结构。LDD是一项通过在TFT的源极和漏极之间添加轻掺杂区域的技术，它的串联电阻增加，从而大大减小了漏极的电场，从而导致热载流子效应和短沟道效应大大降低。但是，如果未进行优化，则引入LDD结构可能会对LTPS TFT的特性产生一些不利影响。在本文中，我们研究了不同的LDD结构对TFT性能的影响，从而找到了最佳的LDD结构。
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更新日期：2019-10-04
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