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棒状ZnO晶体在低温下的生长方式,在聚酰亚胺薄膜上没有任何晶种/缓冲层
CrystEngComm ( IF 2.6 ) Pub Date : 2021-2-9 , DOI: 10.1039/d0ce01729a
Kazuyuki Shishino 1, 2, 3, 4, 5 , Tetsuya Yamada 3, 4, 5, 6 , Kazunori Fujisawa 3, 4, 5, 6 , Munekazu Ikeda 5, 7, 8, 9 , Hajime Hirata 5, 7, 8, 9 , Masashi Motoi 3, 4, 5, 6, 10 , Tatsuo Hatakeyama 3, 4, 5, 6, 10 , Katsuya Teshima 3, 4, 5, 6, 11
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ZnO在各种应用中被广泛用作半导体材料。通常,ZnO用作薄膜,由ZnO /中间层/基板组成。最近,我们通过溶液反应与薄膜的表面处理相结合,在聚酰亚胺薄膜上直接开发了棒状ZnO晶体层,而没有任何中间层。我们研究了固溶过程中聚酰亚胺表面ZnO晶体层的生长机理。阐明了碱,等离子体和热处理的物理和化学作用。结果表明在聚酰亚胺表面上形成均匀,细小的不规则结构,并且主要是酰亚胺基团。ZnO晶体的直接生长归因于Zn(OH)2逐渐成核而产生的锚定效应在聚酰亚胺膜中均匀,细小的不规则处。我们还演示了通过物理粗糙化聚酰亚胺膜来制备ZnO晶体层的更简便方法,以验证我们提出的机理。我们的发现为不使用任何中间层而在聚酰亚胺和其他聚合物基材表面上生长ZnO晶体提供了新的见识。该知识可进一步用于以低成本大量生产ZnO晶体/聚酰亚胺薄膜。



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更新日期:2021-02-24
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