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未掺杂的GaN / AlN二维空穴气体异质结构中的电场和表面费米能级
Physica Status Solidi-Rapid Research Letters ( IF 2.5 ) Pub Date : 2021-02-18 , DOI: 10.1002/pssr.202000573 Łukasz Janicki 1 , Reet Chaudhuri 2 , Samuel James Bader 3 , Huili Grace Xing 2, 4, 5 , Debdeep Jena 2, 4, 5 , Robert Kudrawiec 1
Physica Status Solidi-Rapid Research Letters ( IF 2.5 ) Pub Date : 2021-02-18 , DOI: 10.1002/pssr.202000573 Łukasz Janicki 1 , Reet Chaudhuri 2 , Samuel James Bader 3 , Huili Grace Xing 2, 4, 5 , Debdeep Jena 2, 4, 5 , Robert Kudrawiec 1
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最近已经报道了具有高密度2D空穴气体（2DHG）的未掺杂GaN / AlN异质结构，表明无需掺杂镁（Mg）即可在GaN中产生空穴。这些GaN / AlN异质结构中高密度2DHG的存在预计是由于巨大的内部极化场造成的。本文中，使用调制光谱技术通过非接触电反射（CER）分析分子束外延（MBE）生长的GaN / AlN异质结构的GaN / AlN异质结构的顶部GaN电场，该结构具有埋藏的2DHG。将实验获得的电场值与GaN / AlN结构的自洽Schrödinger-Poisson能带计算进行比较。实验和理论分析相结合，确定GaN表面的费米能级位于价带上方≈1.9（即，大约在带隙的中间）-用于未掺杂和掺Mg的GaN的结构。最后，将研究中的结构中计算出的2DHG浓度与通过霍尔效应测量确定的值进行比较，表明极好的一致性进一步加强了结果。
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更新日期：2021-04-08
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