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Impact of Hydroiodic Acid on Resistive Switching Performance of Lead-Free Cs3Cu2I5 Perovskite Memory
The Journal of Physical Chemistry Letters ( IF 4.8 ) Pub Date : 2021-02-17 , DOI: 10.1021/acs.jpclett.0c03763 Fanju Zeng 1, 2 , Yongqian Tan 2 , Wei Hu 1 , Xiaosheng Tang 1 , Zhongtao Luo 3 , Qiang Huang 4 , Yuanyang Guo 1 , Xiaomei Zhang 2 , Haifeng Yin 2 , Julin Feng 1 , Xusheng Zhao 1 , Ben Yang 1
The Journal of Physical Chemistry Letters ( IF 4.8 ) Pub Date : 2021-02-17 , DOI: 10.1021/acs.jpclett.0c03763 Fanju Zeng 1, 2 , Yongqian Tan 2 , Wei Hu 1 , Xiaosheng Tang 1 , Zhongtao Luo 3 , Qiang Huang 4 , Yuanyang Guo 1 , Xiaomei Zhang 2 , Haifeng Yin 2 , Julin Feng 1 , Xusheng Zhao 1 , Ben Yang 1
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Herein, we employed lead-free Cs3Cu2I5 perovskite films as the functional layers to construct Al/Cs3Cu2I5/ITO memory devices and systematically investigated the impact on the corresponding resistive switching (RS) performance via adding different amounts of hydroiodic acid (HI) in Cs3Cu2I5 precursor solution. The results demonstrated that the crystallinity and morphology of the Cs3Cu2I5 films can be improved and the resistive switching performance can be modulated by adding an appropriate amount of HI. The obtained Cs3Cu2I5 films by adding 5 μL HI exhibit the fewest lattice defects and flattest surface (RMS = 13.3 nm). Besides, the memory device, utilizing the optimized films, has a low electroforming voltage (1.44 V), a large on/off ratio (∼65), and a long retention time (104 s). The RS performance impacted by adding HI, providing a scientific strategy for improving the RS performance of iodine halide perovskite-based memories.
中文翻译：
氢碘酸对无铅Cs 3 Cu 2 I 5钙钛矿记忆电阻转换性能的影响
在本文中，我们以无铅Cs 3 Cu 2 I 5钙钛矿薄膜作为功能层来构建Al / Cs 3 Cu 2 I 5 / ITO存储器件，并通过添加不同的元素，系统地研究了其对相应的电阻开关（RS）性能的影响。 Cs 3 Cu 2 I 5前体溶液中氢碘酸（HI）的量。结果表明，通过添加适量的HI可以改善Cs 3 Cu 2 I 5膜的结晶度和形态，并且可以调节电阻开关性能。获得的Cs通过添加5μLHI形成的3 Cu 2 I 5膜表现出最少的晶格缺陷和最平坦的表面（RMS = 13.3 nm）。此外，利用优化膜的存储器件具有低的电铸电压（1.44 V），大的开/关比（〜65）和长的保持时间（10 4 s）。RS性能受HI影响，为改善基于碘化钙钛矿的碘化物的存储器的RS性能提供了科学的策略。
更新日期：2021-02-25
中文翻译：
氢碘酸对无铅Cs 3 Cu 2 I 5钙钛矿记忆电阻转换性能的影响
在本文中，我们以无铅Cs 3 Cu 2 I 5钙钛矿薄膜作为功能层来构建Al / Cs 3 Cu 2 I 5 / ITO存储器件，并通过添加不同的元素，系统地研究了其对相应的电阻开关（RS）性能的影响。 Cs 3 Cu 2 I 5前体溶液中氢碘酸（HI）的量。结果表明，通过添加适量的HI可以改善Cs 3 Cu 2 I 5膜的结晶度和形态，并且可以调节电阻开关性能。获得的Cs通过添加5μLHI形成的3 Cu 2 I 5膜表现出最少的晶格缺陷和最平坦的表面（RMS = 13.3 nm）。此外，利用优化膜的存储器件具有低的电铸电压（1.44 V），大的开/关比（〜65）和长的保持时间（10 4 s）。RS性能受HI影响，为改善基于碘化钙钛矿的碘化物的存储器的RS性能提供了科学的策略。
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