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重新审视 (LaO)MnAs 的结构、电子和磁性：哈伯德校正的影响和莫特绝缘行为的起源
ACS Omega ( IF 3.7 ) Pub Date : 2021-02-04 , DOI: 10.1021/acsomega.0c05889 Rena Widita 1 , Shibghatullah Muhammady 1 , Rahma Dhani Prasetiyawati 1 , Resti Marlina 2 , Lisman Suryanegara 2 , Budi Purnama 3 , Rizal Kurniadi 1 , Yudi Darma 1
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我们通过第一性原理计算研究了反铁磁层状砷化物（LaO）MnAs 体系的结构、电子和磁性能。 Mn 3d 轨道中哈伯德能量 ( U ) 的增加导致 MnAs 4和 OLa 4四面体中局域对称畸变 (LSD) 的增加。 MnAs 4四面体中的LSD 可能是由Mn 3d 轨道中的二阶Jahn-Teller 效应促进的。此外， U 的增加也会增加带隙 ( E g ) 和 Mn 的磁矩 (μ Mn )。考虑到结构特性， U =1 eV 的值是最合适的。该值导致E g和 μ Mn分别为 0.834 eV 和 4.31 μ B 。由于Mn 3d 和As 4p 态之间的杂化，计算出的μ Mn低于Mn 3d 高自旋态的理论值(5 μ B )。然而，d xy态是局域化的，并且与 As 4p 价态的杂化程度最弱。系统中的莫特绝缘行为的特征是价态和传导态 d zx /d zy之间的E g跃迁。这项工作展示了先进功能器件应用（例如自旋电子学）的新物理见解。
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