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钴掺杂在CdS量子点中的潜在应用在薄膜光电器件中的作用
The Journal of Physical Chemistry C ( IF 3.3 ) Pub Date : 2021-01-12 , DOI: 10.1021/acs.jpcc.0c09358
Piyali Maity 1 , Shiv Kumar 1 , Ravi Kumar 2 , S. N. Jha 2 , D. Bhattacharyya 2 , S. R. Barman 3 , Sandip Chatterjee 4 , Bhola N. Pal 5 , Anup K. Ghosh 1
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胶体量子点(QD)是用于光电器件的有前途的材料。在本文中,已经合成了单分散且环境稳定的钴(Co)掺杂的CdS量子点,并对其在薄膜光电器件中的潜在应用进行了表征。X射线衍射数据的Rietveld精修曲线表明,未掺杂和共掺杂的CdS QD均表现出锌共混物结构,没有任何杂质相。X射线光发射光谱已用于电子结构和价态分析。已使用XANES和EXAFS测量研究了有关掺杂,配位数和局部几何形状的详细信息。拉曼光谱分析表明,纵向光学(LO)模的强度由于短程结构无序而有很大变化。吸收光谱还显示出在共掺杂的CdS量子点的NIR区域附近形成了一个新的掺杂带(DB),这在许多其他过渡金属的掺杂中并未观察到。该DB的宽度随着掺杂浓度的增加而增加,并且已经获得了样品的薄膜异质结的光电导性的增强。新的DB的发展以及Co掺杂后光电流的增强,使得制备的量子点成为非常有前途的材料,可用于制造UV-vis / NIR薄膜光电器件。



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更新日期:2021-01-28
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