摘要 在这项工作中，使用石墨薄片和微细二氧化硅通过碳热还原过程在不同温度（1600 °C、1650 °C 和 1700 °C）下成功合成了立方 3C-碳化硅 (beta-SiC) 一维结构。观察到生长的 SiC 结构具有两种不同的形态，即。带式（直径 2-5 µm）和棒式（直径 >2 µm）。在相对较低的温度（1600°C）下，在石墨片的表面形成带状形态，而在石墨片的层间距之间的较高温度（≥1650°C）下形成棒状形态。TEM 分析证实了 [111] 生长的 3C-SiC 结构的生长方向。从与汽-固 (VS) 和汽-液-固 (VLS) 机制相关的成核和沉淀的角度讨论了这两种不同形态的生长过程。此外，拉曼光谱表明，与块状 SiC 相比，生长的 SiC 结构的相应峰发生了红移，这可能归因于限制效应、结构中的内应力和堆垛层错。



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