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氧化石墨与金纳米粒子复合材料超灵敏电化学检测地高辛
Sensors and Actuators A: Physical ( IF 4.1 ) Pub Date : 2020-12-08 , DOI: 10.1016/j.sna.2020.112489
Saima Kaleem , Shahid Mehmood , Madeeha Chaudhry , Awais Ali , Muhammad Fahad Bhopal , Arshad Saleem Bhatti

地高辛是强心苷,被广泛用作治疗充血性心力衰竭和心律不齐的药物。不幸的是,地高辛的治疗范围很小(2 ng / mL),血浆中过量的地高辛浓度会引起中毒。因此,需要简单而灵敏的程序来严格监测血液中的地高辛,以最大程度地降低毒性风险。在本文中,我们报告了使用湿化学合成的Au-NP和GO复合材料检测地高辛的方法。X射线衍射(XRD),扫描电子显微镜(SEM)和拉曼光谱用于确定金纳米颗粒在GO表面的附着。将合成的Au-NPs-GO复合材料沉积在玻璃碳电极(GCE)的表面上进行电化学表征。将电极与巯基乙酸(MAA)和地高辛抗体(Ab)进一步温育,以形成Ab-MAA-Au-NPs-GO修饰电极。MAA共轭导致Ipc增加35%,电荷转移电阻降低63%(Rct)。抗体固定在MAA修饰电极上导致两个阴极峰(阳极峰)电流Ipc(Ipa)突然下降。R ct增加Ab功能化后(940Ω)是由于其蛋白质性质,这证实了Ab-MAA-Au-NPs-GO修饰的GCE传感器的形成。进一步扩展了工作以探索地高辛不同稀释度下的电荷转移特性。随着地高辛药物从0.1 ng / mL增加到1000 ng / mL,Ipc(Ipa)降低17%(10%)。最后还进行了线性扫描伏安法(LSV),以分析Ab修饰的传感器对各种地高辛药物稀释液的分析性能。记录了针对地高辛药物稀释的电流响应的两个线性回归,这证实了传感器的灵敏度由抗体和地高辛药物之间的相互作用(由电活性位点处的钾离子协调)控制。灵敏度为154.81μAcm- 2 ng -1对于2-0.1 ng范围和10.71μAcm -2 ng -1在1000-2 ng范围内。检出限(LoD)为0.19 ng / mL,表明所提出的Ab-MAA-Au-NPs-GO修饰GCE电化学传感器可成功用于将来的地高辛药物检测应用。





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更新日期:2020-12-25
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