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Pb的欠电位沉积，Cu的表面有限氧化还原置换和Ru的欠电位沉积导致Cu（Ru）膜的电化学生长
Journal of Electronic Materials ( IF 2.2 ) Pub Date : 2018-07-09 , DOI: 10.1007/s11664-018-6493-1 J. S. Fang , M. Y. Hsu , Y. L. Cheng , G. S. Chen
Journal of Electronic Materials ( IF 2.2 ) Pub Date : 2018-07-09 , DOI: 10.1007/s11664-018-6493-1 J. S. Fang , M. Y. Hsu , Y. L. Cheng , G. S. Chen
摘要
当减小器件的特征尺寸时，铜合金膜可潜在地用作微电子学中的互连材料。这项工作研究了Cu和Cu（Ru）薄膜，这些薄膜是通过连续的Pb欠电位沉积，Cu的表面受限氧化还原置换以及Ru的电化学欠电位沉积而沉积的。可以使用欠电位沉积的Pb牺牲原子层和Cu的表面受限氧化还原置换的重复序列来形成Cu膜。通过在铜的表面受限的氧化还原置换之后添加另一种电位不足的沉积的Ru，可以通过改变Cu的表面受限的氧化还原置换的沉积循环比和Ru的电位不足的沉积来成功沉积Cu（Ru）膜。结果表明，最低电阻率为5.2 μ 为保藏在2/1的Cu /茹周期比率在Cu（Ru）的膜，得到Ω厘米。对薄膜的结构和性能进行了研究，以阐明其作为微电子的铜互连的适用性。
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更新日期：2018-07-09
当减小器件的特征尺寸时，铜合金膜可潜在地用作微电子学中的互连材料。这项工作研究了Cu和Cu（Ru）薄膜，这些薄膜是通过连续的Pb欠电位沉积，Cu的表面受限氧化还原置换以及Ru的电化学欠电位沉积而沉积的。可以使用欠电位沉积的Pb牺牲原子层和Cu的表面受限氧化还原置换的重复序列来形成Cu膜。通过在铜的表面受限的氧化还原置换之后添加另一种电位不足的沉积的Ru，可以通过改变Cu的表面受限的氧化还原置换的沉积循环比和Ru的电位不足的沉积来成功沉积Cu（Ru）膜。结果表明，最低电阻率为5.2 μ 为保藏在2/1的Cu /茹周期比率在Cu（Ru）的膜，得到Ω厘米。对薄膜的结构和性能进行了研究，以阐明其作为微电子的铜互连的适用性。
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