尽管三乙醇胺（TEA）在通过化学浴沉积法制备纳米晶体PbS薄膜中被广泛用作络合剂，但有关其浓度如何影响薄膜各种性能的研究还不够充分。在目前的工作中，我们研究了TEA浓度对薄膜的结构，形态，光学，光致发光和导电性能的影响。我们观察到，随着TEA摩尔浓度的增加，结晶度会随着微晶尺寸的减小以及应变和位错密度的增加而降低。胶片的密度降低了；薄膜变成非化学计量的；从光学上讲，它们变得更透明，但反射较少，显示出带隙中明显的蓝移，随TEA浓度的增加而增加。带隙中的局部态的宽度已经增加。观察到膜的折射率和消光系数是波长分散的。折射率随TEA络合物的增加而降低。在NIR区域，消光系数也随着TEA浓度的增加而降低。介电常数的实部和虚部分别复制了相对于波长的折射率和消光系数曲线。PL光谱显示在较高的TEA摩尔浓度下，导带向价带跃迁，强度降低。电流-电压测量表明，电导率随着TEA浓度的增加而显着降低。我们的测量估计了晶粒大小在29–37.49 nm之间，应变为〜10 观察到膜的折射率和消光系数是波长分散的。折射率随TEA络合物的增加而降低。在NIR区域，消光系数也随着TEA浓度的增加而降低。介电常数的实部和虚部分别复制了相对于波长的折射率和消光系数曲线。PL光谱显示在较高的TEA摩尔浓度下，导带向价带跃迁，强度降低。电流-电压测量表明，电导率随着TEA浓度的增加而显着降低。我们的测量估计了晶粒大小在29–37.49 nm之间，应变为〜10 观察到膜的折射率和消光系数是波长分散的。折射率随TEA络合物的增加而降低。在NIR区域，消光系数也随着TEA浓度的增加而降低。介电常数的实部和虚部分别复制了相对于波长的折射率和消光系数曲线。PL光谱显示在较高的TEA摩尔浓度下，导带向价带跃迁，强度降低。电流-电压测量表明，电导率随TEA浓度的增加而显着降低。我们的测量估计出晶粒尺寸在29–37.49 nm之间，应变为〜10 折射率随TEA络合物的增加而降低。在NIR区域，消光系数也随着TEA浓度的增加而降低。介电常数的实部和虚部分别复制了相对于波长的折射率和消光系数曲线。PL光谱显示在较高的TEA摩尔浓度下，导带向价带跃迁，强度降低。电流-电压测量表明，电导率随着TEA浓度的增加而显着降低。我们的测量估计出晶粒尺寸在29–37.49 nm之间，应变为〜10 折射率随TEA络合物的增加而降低。在NIR区域，消光系数也随着TEA浓度的增加而降低。介电常数的实部和虚部分别复制了相对于波长的折射率和消光系数曲线。PL光谱显示在较高的TEA摩尔浓度下，导带向价带跃迁，强度降低。电流-电压测量表明，电导率随着TEA浓度的增加而显着降低。我们的测量估计了晶粒大小在29–37.49 nm之间，应变为〜10 介电常数的实部和虚部分别复制了相对于波长的折射率和消光系数曲线。PL光谱显示在较高的TEA摩尔浓度下，导带向价带跃迁，强度降低。电流-电压测量表明，电导率随着TEA浓度的增加而显着降低。我们的测量估计了晶粒大小在29–37.49 nm之间，应变为〜10 介电常数的实部和虚部分别复制了相对于波长的折射率和消光系数曲线。PL光谱显示在较高的TEA摩尔浓度下，导带向价带跃迁，强度降低。电流-电压测量表明，电导率随着TEA浓度的增加而显着降低。我们的测量估计了晶粒大小在29–37.49 nm之间，应变为〜10⁻³，位错密度〜10 ¹¹ cm ^-2，带隙0.8-1.55 eV，带隙宽度0.27-0.57 eV，折射率2.3-5.8和电导率0.0011-0.20（Ωcm）^-1。



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