摘要 Ar+ 溅射蚀刻通常在 X 射线光电子能谱 (XPS) 分析之前使用，目的是去除表面氧化物和污染物。由于 XPS 探测深度与离子束改性层的厚度相当，来自后者的信号在光谱中占主导地位。我们在这里通过研究单相 IVB 族过渡金属 (IVB-TM) 硼化物、碳化物、氮化物和氧化物薄膜样品的离子辐照效应来检查可靠 XPS 分析的条件。溅射损伤的程度，表现为表面成分的变化、结合能偏移、峰展宽和新光谱特征的出现，在材料系统之间差异很大：从 IVB-TM 碳化物的细微影响到完全变化IVB-TM 氧化物的光谱成分。决定因素是：(i) 在受影响的层中可能由于离子诱导混合而形成的化合物的性质以及 (ii) 溅射后的最终元素组成，以及 (iii) Ar+ 影响层的厚度相对于XPS 探测深度。我们的结果表明，Ar+ 离子辐照对 XPS 光谱的影响不能先验地被忽视，并且在光谱解释过程中，如果不是限制的话，也必须进行大量的审查。



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