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Synthesis, Characterization of Cr Doped TeO2 Nanostructures and its Application as EGFET pH Sensor
Electroanalysis ( IF 2.7 ) Pub Date : 2020-10-09 , DOI: 10.1002/elan.202060329 Vinayak Adimule 1 , R. G. Revaiah 2 , Santosh S. Nandi 3 , Adarsha Haramballi Jagadeesha 4
Electroanalysis ( IF 2.7 ) Pub Date : 2020-10-09 , DOI: 10.1002/elan.202060329 Vinayak Adimule 1 , R. G. Revaiah 2 , Santosh S. Nandi 3 , Adarsha Haramballi Jagadeesha 4
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In the present work, Cr doped tellurium dioxide nanostructures (CTO NS)(1 wt %, 6 wt %, 8 wt % and 12 wt %) synthesized by co precipitation method and characterized by CV, UV‐Visible, SEM, XRD, XPS spectroscopic analysis. Electron beam deposited thin film of CTO NS having 12 wt % of Cr exhibited EGFET‐pH sensitivity of 62.03 mV/pH at 250 °C in buffer solutions of pH 6–12, linearity 0.9345, drift rate of 1.12 mV/h and deviation of 0.01145 as compared with 1 wt %, 6 wt % and 8 wt % of CTO NS.
中文翻译：
Cr掺杂TeO2纳米结构的合成，表征及其在EGFET pH传感器中的应用
在本工作中，通过共沉淀法合成了Cr掺杂的二氧化碲纳米结构（CTO NS）（1 wt％，6 wt％，8 wt％和12 wt％），并通过CV，UV-Visible，SEM，XRD，XPS进行了表征光谱分析。电子束沉积的具有12 wt％Cr的CTO NS薄膜在250°C的pH 6–12缓冲溶液中显示EGFET-pH灵敏度为62.03 mV / pH，线性度为0.9345，漂移率为1.12 mV / h，偏差为与1wt％，6wt％和8wt％的CTO NS相比为0.01145。
更新日期：2020-10-09
中文翻译：
Cr掺杂TeO2纳米结构的合成，表征及其在EGFET pH传感器中的应用
在本工作中，通过共沉淀法合成了Cr掺杂的二氧化碲纳米结构（CTO NS）（1 wt％，6 wt％，8 wt％和12 wt％），并通过CV，UV-Visible，SEM，XRD，XPS进行了表征光谱分析。电子束沉积的具有12 wt％Cr的CTO NS薄膜在250°C的pH 6–12缓冲溶液中显示EGFET-pH灵敏度为62.03 mV / pH，线性度为0.9345，漂移率为1.12 mV / h，偏差为与1wt％，6wt％和8wt％的CTO NS相比为0.01145。
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