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使用敏化的半导体表面定义分子间电子转移的直接轨道路径
Inorganic Chemistry ( IF 4.3 ) Pub Date : 2020-09-30 , DOI: 10.1021/acs.inorgchem.0c02251 Cameron W. Kellett 1 , Curtis P. Berlinguette 1, 2, 3, 4
Inorganic Chemistry ( IF 4.3 ) Pub Date : 2020-09-30 , DOI: 10.1021/acs.inorgchem.0c02251 Cameron W. Kellett 1 , Curtis P. Berlinguette 1, 2, 3, 4
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高性能电子材料和氧化还原催化剂通常依赖于分子间电子转移（IET）的快速速率。最大化IET速率需要在电子供体和受体之间建立强电子耦合（H DA），但是在外层IET反应中支配H DA的通用结构-性质关系尚待开发。对于基态IET反应，H DA可通过电子转移反应中所涉及的前沿供体和受体轨道之间的重叠程度来近似估算。分子间的相互作用促进了这些轨道之间的重叠，从而为IET建立了直接的轨道路径，对H DA产生了强烈影响以及扩展的IET费率。在本论坛文章中，我们提出了一套直观的分子设计策略，这些策略采用这种直接轨道途径原理来最大化IET反应的H DA。我们着重介绍如何精心设计固定在固体半导体基质上的氧化还原活性分子，为阐明电子结构和特定分子间相互作用如何影响IET反应提供了一个强大的实验平台。
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更新日期：2020-10-21
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